広島大学ではこれまで科研費基盤研究(S) 「人類のフロンティア拡大を支えるSiC極限環境エレクトロニクスの確立」（研究代表：黒木伸一郎 教授）などのもと、５００℃の高温や高放射線下でも駆動可能なシリコンカーバイド半導体集積回路の研究開発を行ってきた。従来エレクトロニクスの使用は温度で最大１５０℃程度、耐放射線性１ｋＧｙ（キロ・グレイ）程度に制限されてきたが、ＳｉＣ集積回路はこの利用範囲を大幅に拡げるものであり、EV電気自動車などでの冷却不要な集積回路や、金星探査などの宇宙開発、福島第一原発の廃炉作業ロボットなど、多くの応用が期待されている。
これまでSiC集積回路の作製は、広島大学 半導体産業技術研究所 スーパークリーンルームで行い、ロジック回路・アナログ回路・ＣＭＯＳイメージセンサなどの研究開発を進めてきた。この研究は半導体エレクトロニクスの応用範囲を大幅に拡げるものであり、世界的にも注目されている。ＳｉＣ集積回路の大規模化を進め、社会実装するためには、民間企業への技術移管などによるSiC集積回路ファウンドリ（半導体生産工場）の立ち上げが急務である。そのためには量産ラインでのSiC集積回路製造プロセスの整備と試作デバイスからのデバイスパラメータ抽出が必要である。これを行うために2024年5月に広島大学とフェニテックセミコンダクター株式会社による合同チームをつくり、第一回目の設計と試作製造を進めてきた。集積回路・デバイス設計は主に広島大学が担当し、製造プロセス検討は合同で行い、試作はフェニテックセミコンダクター株式会社の6インチSiC量産ファブで行った。今後、SiC集積回路の設計・製造の環境整備を進め、チップに集積する素子数を増やし、SiC集積回路の大規模化を進める。

リンク：
第178回学長定例記者会見 資料（令和7年4月24日(木) 13:30～14:00）
https://www.hiroshima-u.ac.jp/system/files/259036/h3_handoutai.pdf
報道：
ニュースイッチ by 日刊工業新聞社
「世界初、SiC－ICを量産工場で試作…広島大・フェニテックが成功した意義」
https://newswitch.jp/p/45507
日刊工業新聞社
「広島大・フェニテック、SiC－ICを量産工場で試作　世界初」
https://www.nikkan.co.jp/articles/view/00747375
中国新聞社
「広島大学、過酷な環境で動く半導体チップを試作」
https://www.chugoku-np.co.jp/articles/-/633559
Yahoo！Japanニュース
「世界初、SiC－ICを量産工場で試作…広島大・フェニテックが成功した意義」
https://news.yahoo.co.jp/articles/7071bf9006549ffca5cf985517a4b03cda8a614b